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예: 열 시뮬레이션
예: 안정 상태 열 분석
다음 예는 라이브 시뮬레이션을 사용하여 열 하중이 인쇄회로기판(PCB)에 미치는 영향을 알아보는 방법을 보여줍니다.
열 하중이 PCB의 다른 그룹의 집적 회로에 적용됩니다. 열 차폐판, PCB의 코너 구멍 중 하나, 그리고 열 차폐판의 핀에 대해 경계 조건이 정의됩니다.
1. 전열 하중 1 - 10,000mW
2. 전열 하중 2 - 500mW
3. 전열 하중 3 - 50mW
4. 전열 하중 4 - 7500mW
5. 전열 하중 5 - 150mW
6. 경계 조건 1 - 주변 온도가 섭씨 25도인 열 차폐판에 0.01 mW/mm2C의 대류 계수가 적용됩니다.
7. 경계 조건 2 - 섭씨 5도의 지정 온도가 PCB의 코너 구멍에 적용됩니다.
8. 경계 조건 3 - 주변 온도가 섭씨 25도인 방열판의 핀에 0.01 mW/mm2C의 대류 계수가 적용됩니다.
결과 값은 시뮬레이션 품질(Simulation Quality) 설정에 따라 변경될 수 있음을 참고하십시오. 이 예에서 시뮬레이션 품질(Simulation Quality) 슬라이더는 최대(100%) 정확도 값을 갖습니다.
시뮬레이트(Simulate)를 클릭하면 PCB의 온도 결과가 그래픽 창의 모델에 프린지 도표로 표시됩니다. 이 예에서 최고 온도는 섭씨 199도 안팎입니다.
최고 및 최저 온도 값을 갖는 PCB의 위치를 보려면 를 클릭합니다. 이 예에서 최대값(Max Value)은 선택된 렌더링 방법이며 보드의 하단 서피스에 있는 최대값을 표시합니다.
1. 최저 온도는 파란색 원으로 표시됩니다
2. 최고 온도는 빨간색 원으로 표시됩니다
설계를 수정하여 모델의 전체적인 온도를 내릴 수 있습니다. 다음 그림에서는 열 차폐판의 핀 형태를 변경하고 핀 높이를 높여 열이 더 잘 방출될 수 있도록 하였습니다.
1. 열 차폐판의 핀 형태와 높이 수정
새 설계를 사용하여 열 시뮬레이션을 실행하려면 시뮬레이트(Simulate)를 클릭합니다. 이제 결과가 섭씨 162도에 가깝습니다.
예: 과도 열 분석
수정된 핀이 있는 동일한 모델의 경우 과도 열 검토를 실행하고 다른 시점의 온도 결과를 볼 수도 있습니다.
라이브 시뮬레이션(Live Simulation) > 검토(Study) 옆에 있는 화살표를 클릭하고 과도 모드(Transient Mode) 확인란을 선택합니다. 과도 열 시뮬레이션을 시작하려면 시뮬레이트(Simulate)를 클릭합니다. 시뮬레이션이 실행되면서 변화하는 프린지 도표가 표시됩니다. 시뮬레이션을 일시 중지하려면 시뮬레이션 일시 중지(Pause Simulation)를 클릭합니다.
시뮬레이션 실행이 완료되면 시뮬레이션 일시 중지(Pause Simulation) 버튼이 비활성화되고, 화면 하단의 상태 표시줄에 있는 메시지에 시뮬레이션 검토 실행이 완료되었음을 나타냅니다. 검토 결과는 동일한 경계 조건, 하중 및 형상에서 안정 상태 시뮬레이션 검토의 결과와 유사합니다. 시뮬레이션 시간은 실행에 소요된 시간을 나타냅니다.
1. 과도 열 검토에 대한 시뮬레이션 시간
2. 최대 온도
3. 가장 안쪽 핀 위 지점의 프로브
완료된 실행을 토대로 프로브를 생성하여 다른 시뮬레이션 시간이 끝날 때 모델의 다른 위치에서 온도 값을 볼 수 있습니다. 다음 단계를 수행합니다.
1. 시뮬레이션 프로브(Simulation Probe)를 클릭하여 시뮬레이션 프로브(Simulation Probe) 대화 상자를 엽니다.
2. 가장 안쪽 핀 위의 지점을 선택합니다.
3. 유형(Type) 목록에서 점 상(On Point)을 선택합니다.
4. 저장(Save)을 클릭하여 프로브를 저장합니다.
5. 시뮬레이션 종료 시간의 다양한 값에 대하여 지점의 온도에 대한 시간 종속 그래프를 보려면 를 클릭합니다.
다른 시뮬레이션 종료 시간(Simulation End Time) 값을 사용하여 과도 열 검토를 실행합니다. 다음 표는 500초 간격으로 시간 제한을 설정한 후 조사된 지점의 온도 결과를 보여줍니다.
시뮬레이션 종료 시간
시뮬레이션 시간이 끝날 때 온도 결과
핀의 지점에서의 온도 차트
500초
1000초
1500초
2000초
2500초
그래프에 표시된 대로 온도 결과는 1500초 후에 안정 상태를 가지며 안정 상태 열 검토와 거의 동일합니다.
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