欲根據與參照之間的距離建立具有可變密度建立晶格
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「晶格」(Lattice)。「晶格」(Lattice) 標籤隨即開啟。
「晶格」(Lattice)。「晶格」(Lattice) 標籤隨即開啟。2. 在「晶格區域」(Lattice Region) 標籤、「格子類型」(Cell Type) 標籤與「格子填充」(Cell Fill) 標籤上定義必要的參數。
3. 按一下「密度」(Density) 標籤，然後按一下 
「參照」(References)。
「參照」(References)。4. 根據晶格類型執行下列動作：
◦ 
「樑」(Beams)
「樑」(Beams)根據格子類型執行下列動作：
▪ 具有非隨機格子類型之以樑為基礎的晶格
a. 欲定義未建立晶格所需的最低橫截面大小，請在「橫截面切除」(Cross section cutoff) 旁邊鍵入值。橫截面切除值必須介於樑橫截面的大小 (如「格子填充」(Cell Fill) 標籤中所定義) 與可變密度的大小 (如「密度」(Density) 標籤中所定義) 之間。
b. 欲允許樑擁有可變的橫截面大小，請選取「連續變化」(Continuous variability)。當清除此選項時，每個樑都會有它自己的直橫截面。
c. 欲建立定義體積塊區域的新集合，請在「可變樑」(Variable Beams) 下，按一下「新集合」(New set)。
d. 欲定義圍繞其建立可變密度晶格的參照，請按一下「參照」(References) 收集器並選取或定義下列任何一項︰曲面、面組、基準平面、邊、頂點、曲線、曲線端點、軸、點和座標系的組合。
e. 欲定義與建立可變密度晶格的參照的距離，請在「距離」(Distance) 旁邊鍵入一個值。距離會設定您所選參照周圍體積塊區域的大小。
會量測參照的最短距離，或如果參照是基準平面，則會量測至平面延伸的最短距離。
f. 欲在參照上定義樑的橫截面大小，請在「目標橫截面大小」(Target cross section size) 旁邊鍵入值。樑的橫截面在「密度」(Density) 標籤上的「目標橫截面大小」(Target cross section size) 值與「格子填充」(Cell Fill) 標籤上定義的 「橫截面大小」(Cross section size) 值之間會有所不同。
g. 欲設定密度的變更率，請在「大小變更率」(Size change rate) 旁邊鍵入一個值。
▪ 
「隨機」(Stochastic)
「隨機」(Stochastic)a. 欲建立定義體積塊區域的新集合，請在「自適應分佈」(Adaptive Distribution) 下，按一下「新集合」(New set)。
b. 欲定義圍繞其建立可變密度晶格的參照，請按一下「參照」(References) 收集器並選取下列任何一項︰曲面、面組、基準平面、邊、頂點、曲線、曲線端點、軸、點和座標系的組合。
c. 欲定義與建立可變密度晶格的參照的距離，請在「距離」(Distance) 旁邊鍵入一個值。距離會設定您所選參照周圍體積塊區域的大小。
會量測參照的最短距離，或如果參照是基準平面，則會量測至平面延伸的最短距離。
d. 欲設定所選參照的密度，請在「密度比」(Density ratio) 旁邊鍵入值。
e. 欲設定密度的變更率，請在「密度變更率」(Density change rate) 旁邊鍵入值。若將此選項設定為 1，變更速率為線性。值小於 1 時，速率低於線性。值大於 1 時，速率高於線性。
◦ 
「方程式驅動」(Formula Driven)
「方程式驅動」(Formula Driven)a. 欲定義未建立晶格所需的最低切除，請在「壁厚度切除」(Wall thickness cutoff) 旁邊鍵入壁厚度的最小值。
b. 欲建立定義體積塊區域的新集合，請在「集設定」(Set Settings) 下，按一下「新集合」(New set)。
c. 欲定義用於建立體積塊區域可變壁厚度的參照，請按一下「參照」(References) 收集器並選取下列任何一項︰曲面、面組、基準平面、邊、頂點、曲線、曲線端點、軸、點和座標系的組合。
d. 欲定義與建立可變密度晶格的參照的距離，請在「距離」(Distance) 旁邊鍵入一個值。距離決定您所選參照周圍體積塊區域的大小。
會量測參照的最短距離，或如果參照是基準平面，則會量測至平面延伸的最短距離。
e. 在「目標壁厚度」(Target wall thickness) 旁邊鍵入值，以在您指定的參照處定義壁厚度。
f. 欲設定密度的變更率，請在「大小變更率」(Size change rate) 旁邊鍵入一個值。若將此選項設定為 1，變更速率為線性。值小於 1 時，速率低於線性。值大於 1 時，速率高於線性。