欲根據與參照之間的距離建立具有可變密度建立晶格
1. 按一下 > 。「晶格」(Lattice) 標籤隨即開啟。
2. 在「晶格區域」(Lattice Region) 標籤、「格子類型」(Cell Type) 標籤與「格子填充」(Cell Fill) 標籤上定義必要的參數。
3. 按一下
「密度」(Density) 標籤,然後按一下
「參照」(References)。
4. 根據晶格類型執行下列動作:
◦ 「樑」(Beams) 根據格子類型執行下列動作:
▪ 具有非隨機格子類型之以樑為基礎的晶格
a. 欲定義未建立晶格所需的最低橫截面大小,請在「橫截面切除」(Cross section cutoff) 旁邊鍵入值。橫截面切除值必須介於樑橫截面的大小 (如「格子填充」(Cell Fill) 標籤中所定義) 與可變密度的大小 (如「密度」(Density) 標籤中所定義) 之間。
b. 欲允許樑擁有可變的橫截面大小,請選取「連續變化」(Continuous variability)。當清除此選項時,每個樑都會有它自己的直橫截面。
c. 欲建立定義體積塊區域的新集合,請在「可變樑」(Variable Beams) 下,按一下「新集合」(New set)。
d. 欲定義圍繞其建立可變密度晶格的參照,請按一下「參照」(References) 收集器並選取或定義下列任何一項︰曲面、面組、基準平面、邊、頂點、曲線、曲線端點、軸、點和座標系的組合。
e. 欲定義與建立可變密度晶格的參照的距離,請在「距離」(Distance) 旁邊鍵入一個值。距離會設定您所選參照周圍體積塊區域的大小。
會量測參照的最短距離,或如果參照是基準平面,則會量測至平面延伸的最短距離。
f. 欲在參照上定義樑的橫截面大小,請在「目標橫截面大小」(Target cross section size) 旁邊鍵入值。樑的橫截面在「密度」(Density) 標籤上的「目標橫截面大小」(Target cross section size) 值與「格子填充」(Cell Fill) 標籤上定義的 「橫截面大小」(Cross section size) 值之間會有所不同。
g. 欲設定密度的變更率,請在「大小變更率」(Size change rate) 旁邊鍵入一個值。
▪ 「隨機」(Stochastic) a. 欲建立定義體積塊區域的新集合,請在「自適應分佈」(Adaptive Distribution) 下,按一下「新集合」(New set)。
b. 欲定義圍繞其建立可變密度晶格的參照,請按一下「參照」(References) 收集器並選取下列任何一項︰曲面、面組、基準平面、邊、頂點、曲線、曲線端點、軸、點和座標系的組合。
c. 欲定義與建立可變密度晶格的參照的距離,請在「距離」(Distance) 旁邊鍵入一個值。距離會設定您所選參照周圍體積塊區域的大小。
會量測參照的最短距離,或如果參照是基準平面,則會量測至平面延伸的最短距離。
d. 欲設定所選參照的密度,請在「密度比」(Density ratio) 旁邊鍵入值。
e. 欲設定密度的變更率,請在「密度變更率」(Density change rate) 旁邊鍵入值。若將此選項設定為 1,變更速率為線性。值小於 1 時,速率低於線性。值大於 1 時,速率高於線性。
◦ 「方程式驅動」(Formula Driven) a. 欲定義未建立晶格所需的最低切除,請在「壁厚度切除」(Wall thickness cutoff) 旁邊鍵入壁厚度的最小值。
b. 欲建立定義體積塊區域的新集合,請在「集設定」(Set Settings) 下,按一下「新集合」(New set)。
c. 欲定義用於建立體積塊區域可變壁厚度的參照,請按一下「參照」(References) 收集器並選取下列任何一項︰曲面、面組、基準平面、邊、頂點、曲線、曲線端點、軸、點和座標系的組合。
d. 欲定義與建立可變密度晶格的參照的距離,請在「距離」(Distance) 旁邊鍵入一個值。距離決定您所選參照周圍體積塊區域的大小。
會量測參照的最短距離,或如果參照是基準平面,則會量測至平面延伸的最短距離。
e. 在「目標壁厚度」(Target wall thickness) 旁邊鍵入值,以在您指定的參照處定義壁厚度。
f. 欲設定密度的變更率,請在「大小變更率」(Size change rate) 旁邊鍵入一個值。若將此選項設定為 1,變更速率為線性。值小於 1 時,速率低於線性。值大於 1 時,速率高於線性。