欲建立方程式驅動的晶格
您可以選取數學方程式來定義格子形狀。晶格使用體積表示。方程式驅動晶格品質取決於零件精度、體積表示的精度層級與晶格壁厚度。
1. 按一下 > 
「晶格」(Lattice)。「晶格」(Lattice) 標籤隨即開啟。
「晶格」(Lattice)。「晶格」(Lattice) 標籤隨即開啟。2. 在「晶格」(Lattice) 標籤上，定義這些設定：
a. 在「晶格類型」(Lattice type) 旁邊，選取 
「方程式驅動」(Formula Driven)。
「方程式驅動」(Formula Driven)。b. 欲定義格子 z 軸對齊的方向，請在「格子方向」(Cell Direction) 下選取 Z、X 或 Y。
c. 欲相對於格子的目前大小設定晶格大小，請在「格子比例」(Cell Scale) 下鍵入值，然後按 ENTER 鍵。
d. 欲設定體積表示的精度層級，請在「精度」(Accuracy) 旁邊選取一個選項。這會定義體積大小與密度。精度層級越高，體積解析度越好，但會延長再生時間。
4. 針對不取代主體的晶格，可以定義要新增特徵的主體：按一下「主體選項」(Body Options) 標籤，然後執行下列其中一個動作：
◦ 欲將幾何新增至現有主體，請按一下主體收集器，然後選取要將幾何新增至的主體。
◦ 欲在新主體中建立特徵，請選取「建立新主體」(Create new body) 核取方塊。新主體的名稱即會顯示在主體收集器中。
5. 欲將體積塊分割為三個區域，同時為主方程式驅動的晶格建立一個主體，並建立表示互補空白區域的兩個構造主體，使主方程式驅動晶格壁的每側各一個，請在「主體選項」(Body Options) 標籤中，選取「建立互補主體」(Create complementary bodies) 核取方塊。
方程式驅動晶格的單個格子：
晶格會建立兩個互補區域，分別位於晶格的一側：
將空間分割為互補區域的晶格：
6. 按一下「格子類型」(Cell Type) 標籤，並定義格子結構：
a. 在「函數」(Function) 下，選取一個方程式來驅動格子形狀：
▪ 「螺旋面」(Gyroid) - 由下列方程式控制
sin(x) cos(y) + sin(y) cos(z) + sin(z) cos(x) = 0
▪ 「原始元素」(Primitive) - 亦稱為 Schwarz P 類型，由下列方程式控制
cos(x) + cos(y) + cos(z) = 0
▪ 「鑽石形」(Diamond) - 亦稱為 Schwarz D 類型，由下列方程式控制
sin(x) sin(y) sin(z) + sin(x) cos(y) cos(z) + cos(x) sin(y) cos(z) + cos(x) cos(y) sin(z) = 0
b. 在「格子尺寸」(Cell size) 旁邊，定義格子的 X、Y 與 Z 尺寸。這些尺寸為絕對格子尺寸，使用模型單位。
7. 按一下「格子填充」(Cell Fill) 標籤，定義下列選項：
a. 在「壁厚度」(Wall thickness) 旁邊，定義格子壁的厚度。
b. 欲定義如何處理因裁剪晶格格子而未附加至晶格或與體積塊區域相交處之實體幾何的幾何，請在「未附加幾何」(Unattached geometry) 清單中選取選項：
▪ 「保持」(Keep) - 保留所有未附加的幾何。
▪ 「移除」(Remove) - 移除所有未附加的幾何。
8. 欲定義晶格體積塊內的變化區域，以及相關參數，請按一下「密度」(Density) 標籤，然後按一下 
「參照」(References)，並執行下列其中一項動作：
「參照」(References)，並執行下列其中一項動作：◦ 欲定義可變厚度區域：
a. 欲定義建立晶格所需的最小厚度，請在「壁厚度切除」(Wall thickness cutoff) 旁鍵入一值。
b. 在「集設定」(Set Settings) 下，按一下「新集合」(New set)。「參照」 收集器變爲可用狀態。
c. 選取量測距離的參照：
▪ 點 - 定義球狀體積塊區域，半徑等於距離值。
▪ 曲線 - 定義圓柱掃描體積塊區域，半徑等於距離值。
▪ 曲面、面組、頂點或座標系原點 - 定義位移了距離值的體積塊區域。
d. 在「變化類型」(Variability of) 旁，選取「厚度」(Thickness)，
e. 欲定義與建立可變厚度的參照的距離，請在「距離」(Distance) 旁邊鍵入一個值。此距離會決定您所選參照周圍體積塊區域的大小。
f. 欲設定所選參照處晶格壁的厚度，請在「目標壁厚度」(Target wall thickness) 旁邊鍵入一個值。
g. 欲設定厚度的變更率，請在「大小變更率」(Size change rate) 旁邊鍵入一個值。
比率 = 1 時，變更率為線性。
比率 < 1 時，變更率比線性慢。
比率 > 1 時，變更率比線性快。
◦ 欲定義可變壁位移區域，那麼建立類似擋板的導流結構十分有用：
a. 在「集設定」(Set Settings) 下，按一下「新集合」(New set)。「參照」 收集器變爲可用狀態。
b. 選取量測距離的參照：
▪ 點 - 定義球狀體積塊區域，半徑等於距離值。
▪ 曲線 - 定義圓柱掃描體積塊區域，半徑等於距離值。
▪ 曲面、面組、頂點或座標系原點 - 定義位移了距離值的體積塊區域。
c. 在「變化類型」(Variability of) 旁，選取「壁位移」(Wall Offset)，
d. 欲定義與建立可變壁位移的參照的距離，請在「距離」(Distance) 旁鍵入一值。此距離會決定您所選參照周圍體積塊區域的大小。
e. 欲設定所選參照處晶格壁的位移，請在「目標壁位移」(Target wall offset) 旁鍵入一值。
f. 欲設定位移的變更率，請在「位移變更率」(Offset change rate) 旁鍵入一值。
比率 = 1 時，變更率為線性。
比率 < 1 時，變更率比線性慢。
比率 > 1 時，變更率比線性快。
如需詳細資訊，包括建立擋板的建議參數，請參閱關於具有可變壁位移的晶格。
9. 按一下 
「確定」(OK)。
「確定」(OK)。