关于具有可变壁偏移的晶格
创建公式驱动的晶格时，可偏移晶格壁并改变偏移。在想要创建导流结构时，例如热交换器中的挡板，改变晶格壁偏移非常有效。在必须封闭以分隔不同空间的参考附近，可使用较大的偏移值。
在使用壁偏移创建挡板时，建议使用“密度”(Density) 选项卡上的以下晶格参数：
• 距离
距参考的最大距离，在此范围内壁厚可变化。这将确定体积块区域的大小。
正确密封建议：约等于“单元大小”(Cell size)。
• “目标壁偏移”(Target wall offset)
选定参考处的最大壁偏移。负值可用于反转偏移方向。
建议密封通道以隔离域：约为“单元大小”(Cell size) 的 1/4 到 1/3。
• “偏移变化率”(Offset change rate)
建议：1 至 3。
补充主体
本示例中使用了补充主体：
公式驱动晶格的单个单元：
两个补充区域由晶格创建，分别位于晶格的一侧：
将空间划分为补充区域的晶格：
双体积块挡板
在本示例中，挡板用于引导液流流经两个相互缠绕但各自独立的体积块：
在第一个图像中，两个相交管道的横截面显示出晶格在整个零件中的均匀性。两个隔舱的流体可流经所有四个开口。
在第二个图像中，通过创建晶格壁的可变偏移，可对流动方向进行引导，从而使绿色隔舱中的流体仅流经两个开口，红色隔舱中的流体流经另外两个开口。
为了创建挡板，其中一组入口和出口孔使用的目标壁偏移值为正值，另一组使用的目标壁偏移值为负值。
1. 绿色隔舱入口
2. 绿色隔舱出口
3. 红色隔舱入口
4. 红色隔舱出口
可变壁偏移视频
观看公式化晶格中可变壁偏移用例的视频。