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关于具有可变壁偏移的晶格
创建公式驱动的晶格时,可偏移晶格壁并改变偏移。在想要创建导流结构时,例如热交换器中的挡板,改变晶格壁偏移非常有效。在必须封闭以分隔不同空间的参考附近,可使用较大的偏移值。
在使用壁偏移创建挡板时,建议使用“密度”(Density) 选项卡上的以下晶格参数:
距离
距参考的最大距离,在此范围内壁厚可变化。这将确定体积块区域的大小。
正确密封建议:约等于“单元大小”(Cell size)
“目标壁偏移”(Target wall offset)
选定参考处的最大壁偏移。负值可用于反转偏移方向。
建议密封通道以隔离域:约为“单元大小”(Cell size) 的 1/4 到 1/3。
“偏移变化率”(Offset change rate)
建议:1 至 3。
补充主体
本示例中使用了补充主体:
公式驱动晶格的单个单元:
两个补充区域由晶格创建,分别位于晶格的一侧:
将空间划分为补充区域的晶格:
双体积块挡板
在本示例中,挡板用于引导液流流经两个相互缠绕但各自独立的体积块:
在第一个图像中,两个相交管道的横截面显示出晶格在整个零件中的均匀性。两个隔舱的流体可流经所有四个开口。
在第二个图像中,通过创建晶格壁的可变偏移,可对流动方向进行引导,从而使绿色隔舱中的流体仅流经两个开口,红色隔舱中的流体流经另外两个开口。
为了创建挡板,其中一组入口和出口孔使用的目标壁偏移值为正值,另一组使用的目标壁偏移值为负值。
1. 绿色隔舱入口
2. 绿色隔舱出口
3. 红色隔舱入口
4. 红色隔舱出口
可变壁偏移视频
观看公式化晶格中可变壁偏移用例的视频。
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