要创建受公式驱动的晶格
您可以选择数学公式来定义单元形状。晶格表示为体素。公式驱动晶格质量取决于零件精度、体素表示的精度级别和体素壁厚度。
1. 单击 > 
“晶格”(Lattice)。“晶格”(Lattice) 选项卡随即打开。
“晶格”(Lattice)。“晶格”(Lattice) 选项卡随即打开。2. 在“晶格”(Lattice) 选项卡上，定义以下设置：
a. 在“晶格类型”(Lattice type) 旁边，选择“受公式驱动”(Formula Driven)。
b. 要定义单元 Z 轴对齐的方向，请选择 Z、X 或 Y。
c. 要设置晶格的大小，可在比例框 
中键入值，然后按 Enter 键。此值相对于单元的当前大小。
中键入值，然后按 Enter 键。此值相对于单元的当前大小。d. 要设置体素表示的精度级别，请在 
旁边选择一个选项。以此定义体素大小和密度。精度级别越高，体素分辨率越好，但会延长重新生成时间。
旁边选择一个选项。以此定义体素大小和密度。精度级别越高，体素分辨率越好，但会延长重新生成时间。4. 对于不替换主体的晶格，您可以定义欲向其添加特征的主体。单击“主体选项”(Body Options) 选项卡，然后执行以下操作之一：
◦ 要向现有主体添加几何，请单击主体收集器，然后选择要添加几何的主体。
◦ 要在新主体中创建特征，请选中“创建新主体”(Create new body) 复选框。新主体的名称将出现在主体收集器中。
5. 单击“单元类型”(Cell Type) 选项卡，然后定义单元结构：
a. 在“函数”(Function) 下，选择一个公式来驱动单元形状：
▪ 螺旋面 - 由下列公式来控制
sin(x) cos(y) + sin(y) cos(z) + sin(z) cos(x) = 0
▪ “基元”(Primitive) - 也称作 Schwarz P 类型，由下列公式来控制
cos(x) + cos(y) + cos(z) = 0
▪ “菱形”(Diamond) - 也称作 Schwarz D 类型，由下列公式来控制
sin(x) sin(y) sin(z) + sin(x) cos(y) cos(z) + cos(x) sin(y) cos(z) + cos(x) cos(y) sin(z) = 0
b. 在“单元大小”(Cell size) 旁边，定义单元的 X、Y 和 Z 尺寸。这些为绝对单元尺寸，采用模型单位。
6. 单击“单元填充”(Cell Fill) 选项卡，定义以下选项：
a. 在“壁厚”(Wall thickness) 旁边，定义单元壁的厚度。
b. 要移除由于修剪晶格单元而可能出现在与体积块区域相交处的分离几何，请选择“移除不连接的几何”(Remove unattached geometry) 复选框。
7. 单击“密度”(Density) 选项卡，然后定义晶格体积块内可变厚度区域，以及可变厚度参数：
a. 在“可变壁厚”(Variable Wall Thickness) 下，单击“新建集”(New set)。“参考”(References) 收集器将变为可用状态。
b. 选择测量距离的参考：
▪ 点 - 定义球形体积块区域，半径等于距离值。
▪ 曲线 - 定义圆柱扫描体积块区域，半径等于距离值。
▪ 曲面、面组、顶点或坐标系原点 - 定义偏移了距离值的体积块区域。
c. 要定义与创建可变厚度的参考的距离，请在“距离”(Distance) 旁边键入一个值。此距离用于确定所选参考周围的体积块区域的大小。
d. 要设置选定参考处晶格壁的厚度，请在“目标壁厚”(Target wall thickness) 旁边键入一个值。
e. 要设置厚度的变化率，请在“尺寸变化率”(Size change rate) 旁边键入一个值。
变化率 = 1 时，变化率为线性。
变化率 < 1 时，变化率慢于线性变化。
变化率 > 1 时，变化率快于线性变化。
f. 要定义在其以下未创建晶格的厚度，请设置 “壁厚截断”(Wall thickness cutoff) 值。
8. 单击 
“确定”(OK)。
“确定”(OK)。