1. 定義數據集，說明矽晶片上的氧化物成長過程研究。矩陣 Data 含有兩欄：一欄代表高溫爐編號，另一欄代表以埃為單位的氧化物厚度。

2. 萃取向量 Thick 中的厚度數據。

3. 呼叫 histogram 函數將數據分為二十個柱狀。

4. 繪製柱狀數據，並將繪線類型變更為「欄繪線」。您可以針對每一欄，檢視 x 軸上的厚度範圍及 y 軸上的實驗數。

5. 呼叫 mean 與 Stdev 函數計算數據的均數與標準差。透過這些統計，若數據為常態分佈，則呼叫 dnorm 函數計算每個柱狀的預期結果。

6. 加入 y 軸運算式以繪製向量 Norm。若要檢視常態分佈，請在其 y 軸運算式的單位佔位符號中，加入縮放係數 1000，以縮小柱狀圖。

7. 呼叫 qqplot 函數比較 Data 的分位數與常態分佈的分位數。

8. 以相互比較的方式繪製分位數。變更繪線樣式以建立散佈圖：從「符號」清單選取十字形，然後再從「線條樣式」清單選取「無」。

9. 呼叫 boxplot 函數計算數據集的三個分位數、最小值與最大值，以及離群值。

10. 繪製 B 的轉置，並將繪線類型變更為「箱形圖繪線」，以在箱形圖中檢視這些統計。

11. 呼叫 vlookup 函數萃取每個高溫爐的厚度量測。

12. 呼叫 augment 函數將向量 F1、F2、F3 及 F4 合併成一個矩陣，其中每一欄包含其中一個高溫爐的結果。

13. 呼叫 boxplot 函數計算每個數據集的統計。

14. 定義高溫爐標籤的向量。

15. 建立箱形圖以檢視數據集。y 軸運算式的矩陣針對每個數據集各包含一列，若數據集沒有相同的離群值數，也會包含 NaN。繪圖針對每個數據集各傳回一個箱形圖。